2SK3565

东芝场效应晶体管2SK3565开关电源稳压器应用，漏源电压VDSS 900 V漏极 - 栅极电压（RGS = 20kΩ的）VDGR 900 V栅源电压VGSS±30 V DC（注1）ID 5漏极电流脉冲（T = 1毫秒）（注1）IDP 15疏功耗（TC = 25°C）PD 45 W单脉冲雪崩能量（注2）EAS 595兆焦耳雪崩电流IAR 5 A重复雪崩能量（注3）EAR 4.5兆焦耳沟道温度Tch 150°C保存温度Tstg -55?150℃ 低漏源导通电阻：RDS（ON）= 2.0 ?高正向转移导纳（典型值）：| YFS | = 4.5 S（典型值） ?低漏电流：IDSS = 100 A（VDS = 720 V） ?增强模式：Vth的= 2.0?4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）的 大额定值（Ta = 25°C） 特性符号额定值单位 注：在重负载下连续使用的高温（eg /电流/电压和等温度的显着变化的应用程序）可能会导致此产品在可靠性，降低显着即使经营条件（即工作温度/电流/电压等）在大额定值范围内。请在审查东芝半导体可靠性手册（“注意事项”/降级的概念和方法）和个人可靠性数据（即可靠性试验报告，并估计故障率等）设计适当的可靠性。 热特性 特性符号大单位 热电阻，渠道区分的Rth（CH-C）2.78°C / W热阻，通道到环境的Rth（CH-A）62.5°C / W 注1：确保通道温度不超过150℃。注2：VDD = 90 V，总胆固醇= 25°C（初步），L = 43.6毫亨，IAR = 5.0 A，RG = 25Ω注3：重复评价：脉冲宽度有限的大通道温度该晶体管是一个electrostatic-敏感器件。请谨慎处理。 电气特性（Ta = 25°C） 特性符号测试条件小值典型。大单位 栅极漏电流IGSS V GS =±25 V，VDS = 0 V??±10μA门源击穿电压V（BR）GSS IG =±10μA，VDS = 0 V±30??V漏极截止电流IDSS V DS = 720 V，VGS = 0 V??100μA漏源击穿电压V（BR）DSS ID = 10毫安，VGS = 0V 900??V门阈值电压Vth V DS = 10 V，ID = 1毫安2.0?4.0 V漏极 - 源极导通电阻RDS（ON）V GS = 10 V，ID = 3一?2.0 2.5Ω正向转移导纳?Yfs?V DS = 20 V，ID = 3一2.0 4.5?S输入电容西塞?1150?反向传输电容的Crss?20?输出电容科斯VDS = 25 V，VGS = 0 V，F = 1兆赫?100?pF的上升时间tr?30? 总栅极电荷Qg?28?栅极 - 源电荷QGS?17?栅极 - 漏极电荷的Qgd VDD? - 400 V，VGS = 10V，ID = 5 A?11? 源漏额定值和特性（Ta = 25°C） 特性符号测试条件小值典型。大单位 连续漏反向电流（注1）IDR???5脉冲漏反向电流（注1）IDRP???15的正向电压（二极管）VDSF我DR = 5 A，VGS = 0 V??-1.7 V反恢复时间trr?900?ns的反向恢复电荷Qrr IDR = 5 A，VGS = 0 V，dIDR / DT = 100 A /μs的?5.4?μC 注4：下一个批号的行识别产品标签的指示。没有下划线：[铅] /包括> MCV下划线：[[G] /符合RoHS标准或[[G] / RoHS指令[铅]请联系您的东芝销售代表联系，以环境问题，如产品符合RoHS兼容。 RoHS指令是关于在电子电气设备中使用某些有害物质的限制指令